经过记者张静从成都出发
三星电子将发挥占领中国存储器芯片市场的力量。
9月12日,三星电子宣布,位于中国大陆西安的10nm级nand型闪存( nand flash )制造厂开始开工,预计年底建成,从年开始生产。
据三星电子报道,新成立的三星(中国)半导体有限公司预计按计划一期投资70亿美元,两期持续投资300亿美元。 使西安工厂成为三星历史上投资额最高的海外芯片制造商。 目前,德克萨斯州奥斯汀市还有一家海外半导体工厂。
据《每日经济信息》记者介绍,三星电子西安高端存储芯片项目是三星电子最领先的技术,每月可生产10万枚,预计一期投资产后将形成660亿元人民币的年销售收入,160多家配套公司将挂牌上市。
分析师表示,作为全球最大的内存制造商,三星在中国西安设立工厂可以提高中国半导体领域的制造能力,更重要的是将大大加快三星的本土化进程,与美光、海力士、东芝等同行业其他公司的距离也将进一步拉开。
据了解,中国生产全球96%的平板电脑和37%以上的高端智能手机,作为这些产品核心部件的存储器芯片的诉求也逐年激增。
根据市研机构gartner的数据,中国市场去年使用的nand存储器芯片占世界市场的一半,规模达290亿美元,是世界上最大的芯片使用国。 到了2020年,中国市场的份额将上升到55%。 作为世界存储技术和产品的领导者三星来说,中国市场的价值不言而喻。
根据ihs isuppli今年4月发表的最新研究报道,今年全球nand闪存的收益预计将达到229亿美元,比每年212亿美元增长8%。 未来几年,全球nand闪存收益将继续保持增长态势,到年将达到309亿美元左右。
在nand闪存“水涨船高”之势下,今年以来,nand闪存巨头英特尔、东芝、海力士、三星、赖特等有扩大新产能的计划,致力于20nm工程。 英特尔已经批量生产20nm工艺的128gb nand闪存产品,预计下半年可以发货。 ,
三星主张提高10nm闪存芯片的生产技术,长期快速发展立足于中国市场是明智的,在西安生产线的投产将满足日益增长的nand flash的诉求。
目前,nand闪存主要应用于高端智能手机、平板电脑、超极本采用的固态硬盘等三大市场。 三星此次建成工厂,被认为是交付给快速增长的华为和中兴等中国手机制造商。
但是,关于三星在中国建设芯片工厂一事,isuppli拆解师顾文君在之前的《每日经济信息》记者采访中表示,这对国内公司未必是好事。 目前,三星闪存芯片约占国内30%的市场份额,在中国直接生产产品必然会降低生产价格,巩固在中国市场的霸主地位,领域集中度将继续加强。 那样的话,国内企业的谈判力也会减弱,比其他闪存公司的日子更加困难。
标题:“三星在华存储芯片项目开建 抢占中国市场份额”
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